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IGBT模塊使用上的注意事項?

1. IGBT模塊的選定

在使用IGBT模塊的場合,選擇何種電壓,電流規格的IGBT模塊,需要做周密的考慮。

a. 電流規格

IGBT模塊的集電極電流增大時,VCE(-)上升,所產生的額定損耗亦變大。同時,開關損耗增大,原件發熱加劇。因此,根據額定損耗,開關損耗所產生的熱量,控制器件結溫(Tj)在 150oC以下(通常為安全起見,以125oC以下為宜),請使用這時的集電流以下為宜。特別是用作高頻開關時,由于開關損耗增大,發熱也加劇,需十分注意。
一般來說,要將集電極電流的最大值控制在直流額定電流以下使用,從經濟角度這是值得推薦的。

2. 防止靜電

IGBT的VGE的耐壓值為±20V,在IGBT模塊上加出了超出耐壓值的電壓的場合,由于會導致損壞的危險,因而在柵極-發射極之間不能超出耐壓值的電壓,這點請注意。

在使用裝置的場合,如果柵極回路不合適或者柵極回路完全不能工作時(珊極處于開路狀態),若在主回路上加上電壓,則IGBT就會損壞,為防止這類損壞情況發生,應在柵極一發射極之間接一只10kΩ左左的電阻為宜。

此外,由于IGBT模塊為MOS結構,對于靜電就要十分注意。因此,請注意下面幾點:

1)在使用模塊時,手持分裝件時,請勿觸摸驅動端子部份。

2)在用導電材料連接驅動端子的模塊時,在配線未布好之前,請先不要接上模塊。

3)盡量在底板良好接地的情況下操作。

4)當必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電放電后,再觸摸。

5)在焊接作業時,焊機與焊槽之間的漏泄容易引起靜電壓的產生,為了防止靜電的產生,請先將焊機處良好的接地狀態下。

6)裝部件的容器,請選用不帶靜電的容器。

3.并聯問題

用于大容量逆變器等控制大電流場合使用IGBT模塊時,可以使用多個器件并聯。

并聯時,要使每個器件流過均等的電流是非常重要的,如果一旦電流平衡達到破壞,那么電過于集中的那個器件將可能被損壞。
     為使并聯時電流能平衡,適當改變器件的特性及接線方法。例如。挑選器件的VCE(sat)相同的并聯是很重要的。

4.其他注意事項

1)保存半導體原件的場所的溫度,溫度,應保持在常溫常濕狀態,不應偏離太大。常溫的規定為5-35℃,常濕的規定為45—75%左右。

?2)開、關時的浪涌電壓等的測定,請在端子處測定。

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